IXTF03N400 - аналоги и даташиты транзистора

 

IXTF03N400 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXTF03N400
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 4000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 16.3 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.8 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 300 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS I4PAK
 

 Аналог (замена) для IXTF03N400

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTF03N400 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:149K  ixys
 ixtf03n400.pdf pdf_icon

IXTF03N400

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 4000VIXTF03N400Power MOSFETID25 = 300mA RDS(on) 300 ( Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 4000 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 4000 V1VGSS Continuous 20 V25 Isolated TabVGSM T

 9.1. Size:154K  ixys
 ixtf02n450.pdf pdf_icon

IXTF03N400

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 4500VIXTF02N450Power MOSFETID25 = 200mA RDS(on) 750 (Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMN-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings12Isolated TabVDSS TJ = 25C to 150C 4500 V5VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 4500 VVGSS Continuous 20 V1 = Ga

Другие MOSFET... IXTC26N50P , IXTC280N055T , IXTC36P15P , IXTC62N15P , IXTC75N10 , IXTC96N25T , IXTD110N25T-8W , IXTE250N10 , EMB04N03H , IXTF1N250 , IXTF1N400 , IXTF200N10T , IXTF230N085T , IXTF250N075T , IXTF280N055T , IXTH02N250 , IXTH03N400 .

 

 
Back to Top

 


 
.