Справочник MOSFET. IXTF1N250

 

IXTF1N250 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTF1N250
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 2500 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 41 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 40 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS I4PAK
 

 Аналог (замена) для IXTF1N250

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTF1N250 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:151K  ixys
 ixtf1n450.pdf pdf_icon

IXTF1N250

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 4500VIXTF1N450Power MOSFETID25 = 0.9A RDS(on) 85 (Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMN-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings12Isolated TabVDSS TJ = 25C to 150C 4500 V5VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 4500 VVGSS Continuous 20 V1 = Gate

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: ZVN4206G | FCH47N60

 

 
Back to Top

 


 
.