Справочник MOSFET. IXTF1N250

 

IXTF1N250 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTF1N250
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 2500 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 41 nC
   trⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 40 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS I4PAK

 Аналог (замена) для IXTF1N250

 

 

IXTF1N250 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:151K  ixys
 ixtf1n450.pdf

IXTF1N250 IXTF1N250

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 4500VIXTF1N450Power MOSFETID25 = 0.9A RDS(on) 85 (Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMN-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings12Isolated TabVDSS TJ = 25C to 150C 4500 V5VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 4500 VVGSS Continuous 20 V1 = Gate

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top