IXTF1N250 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTF1N250

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 2500 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 40 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS I4PAK

Аналог (замена) для IXTF1N250

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTF1N250 даташит

 8.1. Size:151K  ixys
 ixtf1n450.pdf pdf_icon

IXTF1N250

Advance Technical Information High Voltage VDSS = 4500V IXTF1N450 Power MOSFET ID25 = 0.9A RDS(on) 85 (Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i4-PakTM N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings 1 2 Isolated Tab VDSS TJ = 25 C to 150 C 4500 V 5 VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 4500 V VGSS Continuous 20 V 1 = Gate

Другие IGBT... IXTC280N055T, IXTC36P15P, IXTC62N15P, IXTC75N10, IXTC96N25T, IXTD110N25T-8W, IXTE250N10, IXTF03N400, K2611, IXTF1N400, IXTF200N10T, IXTF230N085T, IXTF250N075T, IXTF280N055T, IXTH02N250, IXTH03N400, IXTH102N15T