Справочник MOSFET. IXTF1N250

 

IXTF1N250 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTF1N250
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 2500 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 40 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS I4PAK
 

 Аналог (замена) для IXTF1N250

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTF1N250 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:151K  ixys
 ixtf1n450.pdf pdf_icon

IXTF1N250

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 4500VIXTF1N450Power MOSFETID25 = 0.9A RDS(on) 85 (Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMN-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings12Isolated TabVDSS TJ = 25C to 150C 4500 V5VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 4500 VVGSS Continuous 20 V1 = Gate

Другие MOSFET... IXTC280N055T , IXTC36P15P , IXTC62N15P , IXTC75N10 , IXTC96N25T , IXTD110N25T-8W , IXTE250N10 , IXTF03N400 , IRF9640 , IXTF1N400 , IXTF200N10T , IXTF230N085T , IXTF250N075T , IXTF280N055T , IXTH02N250 , IXTH03N400 , IXTH102N15T .

History: IRFE130 | IRFZ34E | NCV8450 | SM4507NHKP

 

 
Back to Top

 


 
.