Справочник MOSFET. IXTH12N140

 

IXTH12N140 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTH12N140
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 890 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1400 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
   Общий заряд затвора (Qg): 106 nC
   Время нарастания (tr): 1200 ns
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXTH12N140

 

 

IXTH12N140 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:175K  ixys
ixtt12n150 ixth12n150.pdf

IXTH12N140 IXTH12N140

High Voltage VDSS = 1500VIXTT12N150ID25 = 12APower MOSFETIXTH12N150 RDS(on) 2.2 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-268 (IXTT)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VD (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VVGSS Continuous 30 VTO-247 (IXTH)VG

 6.2. Size:105K  ixys
ixth10n100 ixtm10n100 ixth12n100 ixtm12n100.pdf

IXTH12N140 IXTH12N140

VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFET IXTH / IXTM 10N100 1000 V 10 A 1.20 IXTH / IXTM 12N100 1000 V 12 A 1.05 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 10N

 6.3. Size:122K  ixys
ixth12n150 ixtt12n150.pdf

IXTH12N140 IXTH12N140

High Voltage VDSS = 1500VIXTT12N150ID25 = 12APower MOSFETsIXTH12N150 RDS(on) 2 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-268 (IXTT)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VD (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VVGSS Continuous 30 VTO-247 (IXTH)VGSM Transient

 6.4. Size:545K  ixys
ixth12n120.pdf

IXTH12N140 IXTH12N140

VDSS = 1200 VIXTH 12N120ID (cont) = 12 APower MOSFET, Avalanche Rated RDS(on)= 1.4 High VoltagePreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C 1200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1200 VVGS Continuous 30 VD (TAB)VGSM Transient 40 VID25 TC = 25C12 AIDM TC = 25C, pulse width limit

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top