IXTH130N20T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXTH130N20T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 830 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 130 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 150 nC
Время нарастания (tr): 150 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.016 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IXTH130N20T
IXTH130N20T Datasheet (PDF)
ixth130n20t.pdf
Preliminary Technical InformationIXTH130N20T VDSS = 200VTrenchHVTMID25 = 130APower MOSFET RDS(on) 16m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247VDSS TJ = 25C to 175C 200 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1M 200 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 130 AILRMS Lead Current Limit, RMS
ixth130n10t ixtq130n10t.pdf
VDSS = 100VIXTH130N10TTrenchMVTMID25 = 130AIXTQ130N10TPower MOSFET RDS(on) 9.1m N-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)Avalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 175C 100 VD(TAB)SVDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 100 VVGSM Transient 20 VTO-3P (IXTQ)ID25 TC = 25C 130 AILRMS Lead C
ixth130n10t.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IXTH130N10TFEATURESWith TO-247 packagingWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 100 VDSSV G
ixth11n80 ixtm11n80 ixth13n80 ixtm13n80.pdf
VDSS ID25 RDS(on)IXTH / IXTM 11N80 800 V 11 A 0.95 MegaMOSTMFETIXTH / IXTM 13N80 800 V 13 A 0.80 N-Channel Enhancement ModeTO-247 AD (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VD (TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 11N80 11
ixth13n110.pdf
IXTH 13N110 VDSS = 1100 VMegaMOSTMFET ID25 = 13 ARDS(on) = 0.92 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C 1100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1100 VVGS Continuous 20 VD (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C13 AG = Gate, D = Drain,IDM TC = 25C, pulse width limited by TJM 52
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
