Справочник MOSFET. IXTH152N085T

 

IXTH152N085T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTH152N085T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 360 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 85 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 152 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 114 nC
   Время нарастания (tr): 90 ns
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXTH152N085T

 

 

IXTH152N085T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  ixys
ixth152n085t ixtq152n085t.pdf

IXTH152N085T IXTH152N085T

Preliminary Technical InformationIXTH152N085T VDSS = 85 VTrenchMVTMIXTQ152N085T ID25 = 152 APower MOSFET RDS(on) 7.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXTH)VDSS TJ = 25C to 175C85 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 85 VVGSM Transient 20 VID25 TC = 25C 152 AILRMS L

 8.2. Size:148K  ixys
ixth15n70.pdf

IXTH152N085T IXTH152N085T

IXTH15N70 PCB24IXTH 15N70 VDSS = 700 VMegaMOSTMFET ID (cont) = 15 ARDS(on) = 0.45 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C 700 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 700 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 T

 8.3. Size:316K  ixys
ixth15n60 ixtm15n60 ixth20n60 ixtm20n60.pdf

IXTH152N085T IXTH152N085T

Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine

 8.5. Size:133K  ixys
ixth15n50l2-ixtp15n50l2.pdf

IXTH152N085T IXTH152N085T

Linear L2TM Power VDSS = 500VIXTH15N50L2MOSFET w/Extended ID25 = 15AIXTP15N50L2 RDS(on) 480m FBSOAN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220 (IXTP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VG (TAB)DVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 500 VSVGSS Continuous 20 VTO-247 (IXTH)VGSM Transient 30

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top