Справочник MOSFET. IXTH200N085T

 

IXTH200N085T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTH200N085T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXTH200N085T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH200N085T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  ixys
 ixth200n085t ixtq200n085t.pdf pdf_icon

IXTH200N085T

Preliminary Technical InformationIXTH200N085T VDSS = 85 VTrenchMVTMIXTQ200N085T ID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXTH)VDSS TJ = 25 C to 175 C85 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 VVGSM Transient 20 VID25 TC = 25 C 20

 5.1. Size:184K  ixys
 ixth200n075t ixtq200n075t.pdf pdf_icon

IXTH200N085T

Preliminary Technical InformationIXTH200N075T VDSS = 75 VTrench GateIXTQ200N075T ID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXTH)VDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 75 VVGSM Transient 20 VID25 TC = 25C 200 AILRMS

 8.1. Size:316K  ixys
 ixth15n60 ixtm15n60 ixth20n60 ixtm20n60.pdf pdf_icon

IXTH200N085T

Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine

 8.2. Size:105K  ixys
 ixth20n60 ixtm20n60.pdf pdf_icon

IXTH200N085T

IXTH 20N60 VDSS = 600 VMegaMOSTMFETIXTM 20N60 ID25 = 20 ARDS(on) = 0.35 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 15N60 15 ATO-204 AE (IXTM)20N60 20 AIDM TC = 25C, p

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTH16P20 , IXTH16P60P , IXTH180N085T , IXTH180N10T , IXTH182N055T , IXTH1N100 , IXTH1N250 , IXTH200N075T , K4145 , IXTH200N10T , IXTH20N50D , IXTH20P50P , IXTH220N055T , IXTH220N075T , IXTH22N50P , IXTH230N085T , IXTH240N055T .

History: HMS60N10D | ZXM64N035L3 | SI2309A | PK5G6EA | FDS6680S | STN4260

 

 
Back to Top

 


 
.