IXTH20N50D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTH20N50D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.33 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IXTH20N50D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH20N50D даташит

 7.1. Size:316K  ixys
 ixth15n60 ixtm15n60 ixth20n60 ixtm20n60.pdf pdf_icon

IXTH20N50D

Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine

 7.2. Size:105K  ixys
 ixth20n60 ixtm20n60.pdf pdf_icon

IXTH20N50D

IXTH 20N60 VDSS = 600 V MegaMOSTMFET IXTM 20N60 ID25 = 20 A RDS(on) = 0.35 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C 15N60 15 A TO-204 AE (IXTM) 20N60 20 A IDM TC = 25 C, p

 7.3. Size:231K  ixys
 ixta20n65x ixth20n65x ixtp20n65x.pdf pdf_icon

IXTH20N50D

Preliminary Technical Information X-Class VDSS = 650V IXTA20N65X Power MOSFET ID25 = 20A IXTP20N65X RDS(on) 210m IXTH20N65X N-Channel Enhancement Mode TO-263 (IXTA) G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXTP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V VGSS Continuous 30 V VG

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTH180N085T, IXTH180N10T, IXTH182N055T, IXTH1N100, IXTH1N250, IXTH200N075T, IXTH200N085T, IXTH200N10T, IRF4905, IXTH20P50P, IXTH220N055T, IXTH220N075T, IXTH22N50P, IXTH230N085T, IXTH240N055T, IXTH24N50L, IXTH24N50Q