IXTH24N50Q
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXTH24N50Q
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 24
A
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 82
nC
trⓘ -
Время нарастания: 500
ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24
Ohm
Тип корпуса:
TO247
Аналог (замена) для IXTH24N50Q
IXTH24N50Q
Datasheet (PDF)
5.1. Size:108K ixys
ixth21n50 ixth24n50 ixtm21n50 ixtm24n50.pdf VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFETIXTH / IXTM 21N50 500 V 21 A 0.25 IXTH / IXTM 24N50 500 V 24 A 0.23 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VD (TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 21N50 21 A
8.1. Size:204K ixys
ixth240n055t ixtq240n055t.pdf Preliminary Technical InformationIXTH240N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMIXTQ240N055T ID25 = 240 APower MOSFET RDS(on) 3.6 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXTH)VDSS TJ = 25 C to 175 C55 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VVGSM Transient 20 VID25 TC = 25 C 240
8.2. Size:337K ixys
ixtt240n15x4hv ixth240n15x4.pdf Advance Technical InformationX4-Class VDSS = 150VIXTT240N15X4HVPower MOSFETTM ID25 = 240AIXTH240N15X4 RDS(on) 4.4m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-268HV (IXTT..HV)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 175C 150 V D (Tab)VDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 150 VTO-247 (IXTH)VGSS Cont
Другие MOSFET... IRFP360LC
, IRFP3710
, IRFP430
, IRFP431
, IRFP432
, IRFP433
, IRFP440
, IRFP440A
, IRFP250
, IRFP442
, IRFP443
, IRFP448
, IRFP450
, IRFP450A
, IRFP450FI
, IRFP450LC
, IRFP451
.