IXTH24N50Q MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXTH24N50Q
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 360 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 24 A
Общий заряд затвора (Qg): 82 nC
Время нарастания (tr): 500 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.24 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IXTH24N50Q
IXTH24N50Q Datasheet (PDF)
ixth21n50 ixth24n50 ixtm21n50 ixtm24n50.pdf
VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFETIXTH / IXTM 21N50 500 V 21 A 0.25 IXTH / IXTM 24N50 500 V 24 A 0.23 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VD (TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 21N50 21 A
ixth240n055t ixtq240n055t.pdf
Preliminary Technical InformationIXTH240N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMIXTQ240N055T ID25 = 240 APower MOSFET RDS(on) 3.6 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXTH)VDSS TJ = 25 C to 175 C55 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VVGSM Transient 20 VID25 TC = 25 C 240
ixtt240n15x4hv ixth240n15x4.pdf
Advance Technical InformationX4-Class VDSS = 150VIXTT240N15X4HVPower MOSFETTM ID25 = 240AIXTH240N15X4 RDS(on) 4.4m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-268HV (IXTT..HV)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 175C 150 V D (Tab)VDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 150 VTO-247 (IXTH)VGSS Cont
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
