IXTH24N50Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTH24N50Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 500 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IXTH24N50Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH24N50Q даташит

 5.1. Size:108K  ixys
 ixth21n50 ixth24n50 ixtm21n50 ixtm24n50.pdf pdf_icon

IXTH24N50Q

VDSS ID25 RDS(on) MegaMOSTMFET IXTH / IXTM 21N50 500 V 21 A 0.25 IXTH / IXTM 24N50 500 V 24 A 0.23 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V D (TAB) VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C 21N50 21 A

 8.1. Size:204K  ixys
 ixth240n055t ixtq240n055t.pdf pdf_icon

IXTH24N50Q

Preliminary Technical Information IXTH240N055T VDSS = 55 V TrenchMVTM IXTQ240N055T ID25 = 240 A Power MOSFET RDS(on) 3.6 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 175 C55 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 V VGSM Transient 20 V ID25 TC = 25 C 240

 8.2. Size:337K  ixys
 ixtt240n15x4hv ixth240n15x4.pdf pdf_icon

IXTH24N50Q

Advance Technical Information X4-Class VDSS = 150V IXTT240N15X4HV Power MOSFETTM ID25 = 240A IXTH240N15X4 RDS(on) 4.4m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-268HV (IXTT..HV) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 175 C 150 V D (Tab) VDGR TJ = 25 C to 175 C, RGS = 1M 150 V TO-247 (IXTH) VGSS Cont

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTH20N50D, IXTH20P50P, IXTH220N055T, IXTH220N075T, IXTH22N50P, IXTH230N085T, IXTH240N055T, IXTH24N50L, K4145, IXTH24P20, IXTH250N075T, IXTH260N055T2, IXTH26N60P, IXTH26P20P, IXTH280N055T, IXTH28N50Q, IXTH2R4N120P