IXTH30N50L2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXTH30N50L2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 400 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 240 nC
Время нарастания (tr): 500 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.2 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IXTH30N50L2
IXTH30N50L2 Datasheet (PDF)
ixth30n50l2-ixtq30n50l2-ixtt30n50l2.pdf
IXTH30N50L2 VDSS = 500VLinear L2TM PowerIXTQ30N50L2 ID25 = 30AMOSFET with extended IXTT30N50L2 RDS(on) 200m FBSOADDDDO DON-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)RGiwwG OO(TAB)SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VTO-3P (IXTQ)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 500 VVGSS Continu
ixth30n50l.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IXTH30N50LFEATURESWith TO-247 packagingWith low gate drive requirementsLow switching lossLow on-state resistanceEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)
ixth30n50p ixtq30n50p ixtt30n50p ixtv30n50p.pdf
VDSS = 500 VIXTH 30N50PPolarHVTMID25 = 30 AIXTQ 30N50PPower MOSFET RDS(on) 200 m IXTT 30N50PN-Channel Enhancement ModeIXTV 30N50PAvalanche RatedIXTV 30N50PSTO-247 AD (IXTH)(TAB)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-3P (IXTQ)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGSS Continuo
ixth30n45 ixth30n50.pdf
Preliminary Data SheetVDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFETIXTH 30N45 450 V 30 A 0.16 N-Channel Enhancement ModeIXTH 30N50 500 V 30 A 0.17 TO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (TAB)30N45 450 VVDSS TJ = 25C to 150C 30N50 500 V30N45 450 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 30N50 500 VTO-247 SMD( ...S )VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
