Справочник MOSFET. IXTH52P10P

 

IXTH52P10P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTH52P10P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH52P10P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:186K  ixys
ixta52p10p ixtp52p10p ixtq52p10p ixth52p10p.pdfpdf_icon

IXTH52P10P

PolarPTM VDSS = - 100VIXTA52P10PID25 = - 52APower MOSFETsIXTP52P10P RDS(on) 50m IXTQ52P10PP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedIXTH52P10PTO-3P (IXTQ)TO-263 AA (IXTA) TO-220AB (IXTP)DGGGSDG SSD (Tab)D D (Tab)S TabSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C -100 VVDGR TJ = 2

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
ixth52p10p.pdfpdf_icon

IXTH52P10P

Isc P-Channel MOSFET Transistor IXTH52P10PFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsMotor contorlDC-DC conventersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PAR

 8.1. Size:151K  ixys
ixth52n65x.pdfpdf_icon

IXTH52P10P

X-Class VDSS = 650VIXTH52N65XPower MOSFET ID25 = 52A RDS(on) 68m N-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VGD TabVGSS Continuous 30 VSVGSM Transient 40 VG = Gate D = DrainID25 TC = 25C52 AS = Source

 9.1. Size:187K  ixys
ixth500n04t2 ixtt500n04t2.pdfpdf_icon

IXTH52P10P

Advance Technical InformationTrenchT2TM VDSS = 40VIXTH500N04T2ID25 = 500APower MOSFETIXTT500N04T2 RDS(on) 1.6m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-247 (IXTH)Fast Intrinsic DiodeGDD (Tab)SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C40 VVDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 40 VTO-268 (IXTT)VGSM T

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.