Справочник MOSFET. IXTH72N20

 

IXTH72N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTH72N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXTH72N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH72N20 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:112K  ixys
ixtt72n10 ixth72n10.pdfpdf_icon

IXTH72N20

Advance Technical InformationIXTH 72N20 VDSS = 200 VHigh CurrentIXTT 72N20 ID25 = 72 APower MOSFET RDS(on) = 33 mN-Channel Enhancement ModeTO-247 AD (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 200 VVGS Continuous 20 V(TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C72 AIDM TC =

 9.1. Size:74K  1
ixth7p50 ixth8p50.pdfpdf_icon

IXTH72N20

VDSS ID25 RDS(on)IXTH 7P50 -500V -7 A 1.5 Standard Power MOSFETIXTH 8P50 -500V -8 A 1.2 P-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C -500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M -500 VVGS Continuous 20 VD (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 7P50 -7 A8P50 -8 AIDM TC = 25C, pulse w

 9.2. Size:579K  ixys
ixth67n10 ixtm67n10 ixth75n10 ixtm75n10 ixtt75n10.pdfpdf_icon

IXTH72N20

VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFETIXTH / IXTM 67N10100 V 67 A 25 mIXTH / IXTM 75N10100 V 75 A 20 mIXTT 75N10N-Channel Enhancement ModeTO-247 AD (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)VDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 100 VTO-204 AE (IXTM)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30

 9.3. Size:583K  ixys
ixth75n15 ixtt75n15.pdfpdf_icon

IXTH72N20

IXTH 75N15 VDSS = 150 VHigh CurrentIXTT 75N15 ID25 = 75 APower MOSFET RDS(on) = 23 mN-Channel Enhancement ModeTO-247 AD (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 150 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 150 VVGS Continuous 20 V(TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C75 AIDM TC = 25C, pulse width limited by T

Другие MOSFET... IXTH60N15 , IXTH60N20L2 , IXTH60N25 , IXTH68P20T , IXTH6N100D2 , IXTH6N120 , IXTH6N150 , IXTH6N50D2 , 2SK3918 , IXTH75N10L2 , IXTH75N15 , IXTH76N25T , IXTH76P10T , IXTH80N20L , IXTH86N25T , IXTH88N15 , IXTH88N30P .

History: HGS220N10SL | P6403FMG | ZXM62N03G | CEP6086 | UPA1815GR | AO3481 | IXTK17N120L

 

 
Back to Top

 


 
.