Справочник MOSFET. IXTH75N15

 

IXTH75N15 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTH75N15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXTH75N15

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH75N15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:583K  ixys
ixth75n15 ixtt75n15.pdfpdf_icon

IXTH75N15

IXTH 75N15 VDSS = 150 VHigh CurrentIXTT 75N15 ID25 = 75 APower MOSFET RDS(on) = 23 mN-Channel Enhancement ModeTO-247 AD (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 150 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 150 VVGS Continuous 20 V(TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C75 AIDM TC = 25C, pulse width limited by T

 6.1. Size:579K  ixys
ixth67n10 ixtm67n10 ixth75n10 ixtm75n10 ixtt75n10.pdfpdf_icon

IXTH75N15

VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFETIXTH / IXTM 67N10100 V 67 A 25 mIXTH / IXTM 75N10100 V 75 A 20 mIXTT 75N10N-Channel Enhancement ModeTO-247 AD (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)VDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 100 VTO-204 AE (IXTM)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30

 6.2. Size:139K  ixys
ixth75n10l2 ixtt75n10l2.pdfpdf_icon

IXTH75N15

Advance Technical InformationLinearL2TM Power VDSS = 100VIXTH75N10L2MOSFET w/extended ID25 = 75AIXTT75N10L2 RDS(on) 21m FBSOADDDDO DON-Channel Enhancement ModeRGiGuaranteed FBSOAwwG OAvalanche RatedTO-247 (IXTH)OSSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 100 V DD (Tab)SVDGR TJ = 25

 9.1. Size:74K  1
ixth7p50 ixth8p50.pdfpdf_icon

IXTH75N15

VDSS ID25 RDS(on)IXTH 7P50 -500V -7 A 1.5 Standard Power MOSFETIXTH 8P50 -500V -8 A 1.2 P-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C -500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M -500 VVGS Continuous 20 VD (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 7P50 -7 A8P50 -8 AIDM TC = 25C, pulse w

Другие MOSFET... IXTH60N25 , IXTH68P20T , IXTH6N100D2 , IXTH6N120 , IXTH6N150 , IXTH6N50D2 , IXTH72N20 , IXTH75N10L2 , 2N7002 , IXTH76N25T , IXTH76P10T , IXTH80N20L , IXTH86N25T , IXTH88N15 , IXTH88N30P , IXTH90N15T , IXTH90P10P .

History: SI2300DS | FMP20N50E | ME4972-G | HY1803C2 | P4506BD | DAMH50N500H | OSG65R070PT3F

 

 
Back to Top

 


 
.