IXTH76N25T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXTH76N25T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 460 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 92 nC
trⓘ - Время нарастания: 148 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IXTH76N25T
IXTH76N25T Datasheet (PDF)
ixth7p50 ixth8p50.pdf
VDSS ID25 RDS(on)IXTH 7P50 -500V -7 A 1.5 Standard Power MOSFETIXTH 8P50 -500V -8 A 1.2 P-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C -500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M -500 VVGS Continuous 20 VD (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 7P50 -7 A8P50 -8 AIDM TC = 25C, pulse w
ixth67n10 ixtm67n10 ixth75n10 ixtm75n10 ixtt75n10.pdf
VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFETIXTH / IXTM 67N10100 V 67 A 25 mIXTH / IXTM 75N10100 V 75 A 20 mIXTT 75N10N-Channel Enhancement ModeTO-247 AD (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)VDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 100 VTO-204 AE (IXTM)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30
ixtt72n10 ixth72n10.pdf
Advance Technical InformationIXTH 72N20 VDSS = 200 VHigh CurrentIXTT 72N20 ID25 = 72 APower MOSFET RDS(on) = 33 mN-Channel Enhancement ModeTO-247 AD (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 200 VVGS Continuous 20 V(TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C72 AIDM TC =
ixth75n15 ixtt75n15.pdf
IXTH 75N15 VDSS = 150 VHigh CurrentIXTT 75N15 ID25 = 75 APower MOSFET RDS(on) = 23 mN-Channel Enhancement ModeTO-247 AD (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 150 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 150 VVGS Continuous 20 V(TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C75 AIDM TC = 25C, pulse width limited by T
ixth75n10l2 ixtt75n10l2.pdf
Advance Technical InformationLinearL2TM Power VDSS = 100VIXTH75N10L2MOSFET w/extended ID25 = 75AIXTT75N10L2 RDS(on) 21m FBSOADDDDO DON-Channel Enhancement ModeRGiGuaranteed FBSOAwwG OAvalanche RatedTO-247 (IXTH)OSSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 100 V DD (Tab)SVDGR TJ = 25
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD