Справочник MOSFET. IXTH76P10T

 

IXTH76P10T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTH76P10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 298 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXTH76P10T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH76P10T Datasheet (PDF)

 9.1. Size:74K  1
 ixth7p50 ixth8p50.pdf pdf_icon

IXTH76P10T

VDSS ID25 RDS(on)IXTH 7P50 -500V -7 A 1.5 Standard Power MOSFETIXTH 8P50 -500V -8 A 1.2 P-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C -500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M -500 VVGS Continuous 20 VD (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 7P50 -7 A8P50 -8 AIDM TC = 25C, pulse w

 9.2. Size:579K  ixys
 ixth67n10 ixtm67n10 ixth75n10 ixtm75n10 ixtt75n10.pdf pdf_icon

IXTH76P10T

VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFETIXTH / IXTM 67N10100 V 67 A 25 mIXTH / IXTM 75N10100 V 75 A 20 mIXTT 75N10N-Channel Enhancement ModeTO-247 AD (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)VDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 100 VTO-204 AE (IXTM)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30

 9.3. Size:112K  ixys
 ixtt72n10 ixth72n10.pdf pdf_icon

IXTH76P10T

Advance Technical InformationIXTH 72N20 VDSS = 200 VHigh CurrentIXTT 72N20 ID25 = 72 APower MOSFET RDS(on) = 33 mN-Channel Enhancement ModeTO-247 AD (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 200 VVGS Continuous 20 V(TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C72 AIDM TC =

 9.4. Size:583K  ixys
 ixth75n15 ixtt75n15.pdf pdf_icon

IXTH76P10T

IXTH 75N15 VDSS = 150 VHigh CurrentIXTT 75N15 ID25 = 75 APower MOSFET RDS(on) = 23 mN-Channel Enhancement ModeTO-247 AD (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 150 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 150 VVGS Continuous 20 V(TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C75 AIDM TC = 25C, pulse width limited by T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTH6N100D2 , IXTH6N120 , IXTH6N150 , IXTH6N50D2 , IXTH72N20 , IXTH75N10L2 , IXTH75N15 , IXTH76N25T , AO3407 , IXTH80N20L , IXTH86N25T , IXTH88N15 , IXTH88N30P , IXTH90N15T , IXTH90P10P , IXTH96N20P , IXTH96N25T .

History: 2SK2513 | HUFA76437P3 | PSMN5R8-30LL | CEM3258 | DMP6110SSD | HSW8205

 

 
Back to Top

 


 
.