IXTH88N30P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTH88N30P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IXTH88N30P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH88N30P даташит

 ..1. Size:324K  ixys
 ixth88n30p ixtk88n30p ixtt88n30p ixtq88n30p.pdf pdf_icon

IXTH88N30P

IXTH 88N30P VDSS = 300 V PolarHTTM IXTK 88N30P ID25 = 88 A Power MOSFET IXTQ 88N30P RDS(on) 40 m IXTT 88N30P N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-247 (IXTH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (TAB) G D VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 V VGS Continuous 20 V TO-264 (IXTK)

 ..2. Size:365K  ixys
 ixth88n30p ixtk88n30p ixtq88n30p ixtt88n30p.pdf pdf_icon

IXTH88N30P

IXTH 88N30P VDSS = 300 V PolarHTTM IXTK 88N30P ID25 = 88 A Power MOSFET IXTQ 88N30P RDS(on) 40 m IXTT 88N30P N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-247 (IXTH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (TAB) G D VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 V VGS Continuous 20 V TO-264 (IXTK)

 9.1. Size:74K  1
 ixth7p50 ixth8p50.pdf pdf_icon

IXTH88N30P

VDSS ID25 RDS(on) IXTH 7P50 -500V -7 A 1.5 Standard Power MOSFET IXTH 8P50 -500V -8 A 1.2 P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VDSS TJ = 25 C to 150 C -500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M -500 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C 7P50 -7 A 8P50 -8 A IDM TC = 25 C, pulse w

 9.2. Size:113K  ixys
 ixth80n65x2.pdf pdf_icon

IXTH88N30P

Advance Technical Information X2-Class VDSS = 650V IXTH80N65X2 Power MOSFETTM ID25 = 80A RDS(on) 40m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-247 G Symbol Test Conditions Maximum Ratings D S D (Tab) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V G = Gate D = Drain S = Source Tab = Drain VGSS Contin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTH72N20, IXTH75N10L2, IXTH75N15, IXTH76N25T, IXTH76P10T, IXTH80N20L, IXTH86N25T, IXTH88N15, IRF730, IXTH90N15T, IXTH90P10P, IXTH96N20P, IXTH96N25T, IXTH96P085T, IXTJ36N20, IXTK100N25P, IXTK102N30P