Справочник MOSFET. IXTH96P085T

 

IXTH96P085T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTH96P085T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 298 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 96 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 180 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXTH96P085T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH96P085T Datasheet (PDF)

 8.1. Size:198K  ixys
 ixth96n20p ixtt96n20p ixtq96n20p.pdf pdf_icon

IXTH96P085T

IXTH 96N20P VDSS = 200 VPolarHTTMIXTQ 96N20P ID25 = 96 APower MOSFET IXTT 96N20P RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)Avalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsGDVDSS TJ = 25 C to 150 C 200 VS(TAB)VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 200 VVGSS Continous 20 VTO-3P (IXTQ)VGSM Transient

 8.2. Size:239K  ixys
 ixth96n20p ixtq96n20p ixtt96n20p.pdf pdf_icon

IXTH96P085T

IXTH 96N20P VDSS = 200 VPolarHTTMIXTQ 96N20P ID25 = 96 APower MOSFET IXTT 96N20P RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)Avalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsGDVDSS TJ = 25 C to 150 C 200 VS(TAB)VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 200 VVGSS Continous 20 VTO-3P (IXTQ)VGSM Transient

Другие MOSFET... IXTH80N20L , IXTH86N25T , IXTH88N15 , IXTH88N30P , IXTH90N15T , IXTH90P10P , IXTH96N20P , IXTH96N25T , 20N60 , IXTJ36N20 , IXTK100N25P , IXTK102N30P , IXTK110N20L2 , IXTK110N30 , IXTK120N20P , IXTK120N25 , IXTK120N25P .

History: HGP019NE6A | CJ3415 | IPA60R600P7 | CJPF02N65 | PMN70XPE | SFF25P20S2I-02 | OSG80R900DF

 

 
Back to Top

 


 
.