IXTJ36N20 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTJ36N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO268 I3PAK

Аналог (замена) для IXTJ36N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTJ36N20 даташит

 9.1. Size:113K  ixys
 ixtj3n150.pdf pdf_icon

IXTJ36N20

Advance Technical Information High Voltage VDSS = 1500V IXTJ3N150 ID25 = 2.3A Power MOSFET RDS(on) 8.0 (Electrically Isolated Tab) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode ISO TO-247TM E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 1500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1500 V G

Другие IGBT... IXTH86N25T, IXTH88N15, IXTH88N30P, IXTH90N15T, IXTH90P10P, IXTH96N20P, IXTH96N25T, IXTH96P085T, IRF540N, IXTK100N25P, IXTK102N30P, IXTK110N20L2, IXTK110N30, IXTK120N20P, IXTK120N25, IXTK120N25P, IXTK128N15