Справочник MOSFET. IXTJ36N20

 

IXTJ36N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTJ36N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO268 I3PAK
 

 Аналог (замена) для IXTJ36N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTJ36N20 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:113K  ixys
 ixtj3n150.pdf pdf_icon

IXTJ36N20

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 1500VIXTJ3N150ID25 = 2.3APower MOSFET RDS(on) 8.0 (Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeISO TO-247TME153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VG

Другие MOSFET... IXTH86N25T , IXTH88N15 , IXTH88N30P , IXTH90N15T , IXTH90P10P , IXTH96N20P , IXTH96N25T , IXTH96P085T , IRF540 , IXTK100N25P , IXTK102N30P , IXTK110N20L2 , IXTK110N30 , IXTK120N20P , IXTK120N25 , IXTK120N25P , IXTK128N15 .

History: F5043-S | 2SK1322

 

 
Back to Top

 


 
.