IXTK90P20P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTK90P20P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 890 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 315 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm

Тип корпуса: TO264

Аналог (замена) для IXTK90P20P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTK90P20P даташит

No data!

Другие IGBT... IXTK62N25, IXTK75N30, IXTK80N25, IXTK82N25P, IXTK88N30P, IXTK8N150L, IXTK90N15, IXTK90N25L2, AON7410, IXTL2x180N10T, IXTL2x200N085T, IXTL2x220N075T, IXTL2x240N055T, IXTN110N20L2, IXTN120N25, IXTN170P10P, IXTN17N120L