Справочник MOSFET. IXTL2x180N10T

 

IXTL2x180N10T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTL2x180N10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0074 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUSI5PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTL2x180N10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:66K  ixys
 ixtl2x180n10t.pdf pdf_icon

IXTL2x180N10T

Advance Technical InformationTrenchMVTMIXTL2x180N10TVDSS = 100 VID25 = 2x100 APower MOSFETs RDS(on) 7.4 m Common-Gate PairDD(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeRG RGISOPLUS i5-PakTM (IXTL)Avalanche RatedS G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 100 VVDGR TJ = 25C to 175

 8.1. Size:66K  ixys
 ixtl2x240n055t.pdf pdf_icon

IXTL2x180N10T

Advance Technical InformationIXTL2x240N055T VDSS =55 VTrenchMVTMID25 = 2x140 APower MOSFETs RDS(on) 4.4 m Common-Gate PairDD(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated RG RGISOPLUS i5-PakTM (IXTL)S G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C55 VVDGR TJ = 25C to 175C; RG

 8.2. Size:66K  ixys
 ixtl2x220n075t.pdf pdf_icon

IXTL2x180N10T

Advance Technical InformationTrenchMVTM IXTL2x220N075T VDSS = 75 VID25 = 2x120 APower MOSFETs RDS(on) 5.5 m Common-Gate PairDD(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeRG RGAvalanche RatedISOPLUS i5-PakTM (IXTL)S G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; R

 8.3. Size:66K  ixys
 ixtl2x200n085t.pdf pdf_icon

IXTL2x180N10T

Advance Technical InformationTrenchMVTMIXTL2x200N085TVDSS = 85 VID25 = 2x112 APower MOSFETs RDS(on) 6.0 m Common-Gate PairDD(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeRG RGAvalanche RatedISOPLUS i5-PakTM (IXTL)S G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C85 VVDGR TJ = 25C to 175C;

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: STW265N6F6AG | IPB60R380C6 | 2SK2366 | STW77N65M5 | MTD6N20E | FSL923AOD | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.