Справочник MOSFET. IXTL2x180N10T

 

IXTL2x180N10T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTL2x180N10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0074 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUSI5PAK
 

 Аналог (замена) для IXTL2x180N10T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTL2x180N10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:66K  ixys
 ixtl2x180n10t.pdf pdf_icon

IXTL2x180N10T

Advance Technical InformationTrenchMVTMIXTL2x180N10TVDSS = 100 VID25 = 2x100 APower MOSFETs RDS(on) 7.4 m Common-Gate PairDD(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeRG RGISOPLUS i5-PakTM (IXTL)Avalanche RatedS G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 100 VVDGR TJ = 25C to 175

 8.1. Size:66K  ixys
 ixtl2x240n055t.pdf pdf_icon

IXTL2x180N10T

Advance Technical InformationIXTL2x240N055T VDSS =55 VTrenchMVTMID25 = 2x140 APower MOSFETs RDS(on) 4.4 m Common-Gate PairDD(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated RG RGISOPLUS i5-PakTM (IXTL)S G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C55 VVDGR TJ = 25C to 175C; RG

 8.2. Size:66K  ixys
 ixtl2x220n075t.pdf pdf_icon

IXTL2x180N10T

Advance Technical InformationTrenchMVTM IXTL2x220N075T VDSS = 75 VID25 = 2x120 APower MOSFETs RDS(on) 5.5 m Common-Gate PairDD(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeRG RGAvalanche RatedISOPLUS i5-PakTM (IXTL)S G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; R

 8.3. Size:66K  ixys
 ixtl2x200n085t.pdf pdf_icon

IXTL2x180N10T

Advance Technical InformationTrenchMVTMIXTL2x200N085TVDSS = 85 VID25 = 2x112 APower MOSFETs RDS(on) 6.0 m Common-Gate PairDD(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeRG RGAvalanche RatedISOPLUS i5-PakTM (IXTL)S G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C85 VVDGR TJ = 25C to 175C;

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTK75N30 , IXTK80N25 , IXTK82N25P , IXTK88N30P , IXTK8N150L , IXTK90N15 , IXTK90N25L2 , IXTK90P20P , 4N60 , IXTL2x200N085T , IXTL2x220N075T , IXTL2x240N055T , IXTN110N20L2 , IXTN120N25 , IXTN170P10P , IXTN17N120L , IXTN200N10L2 .

History: TPCJ2101 | FQD13N10LTF | HMS10N60K

 

 
Back to Top

 


 
.