Справочник MOSFET. IXTL2x220N075T

 

IXTL2x220N075T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTL2x220N075T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 165 nC
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUSI5PAK

 Аналог (замена) для IXTL2x220N075T

 

 

IXTL2x220N075T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:66K  ixys
 ixtl2x220n075t.pdf

IXTL2x220N075T IXTL2x220N075T

Advance Technical InformationTrenchMVTM IXTL2x220N075T VDSS = 75 VID25 = 2x120 APower MOSFETs RDS(on) 5.5 m Common-Gate PairDD(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeRG RGAvalanche RatedISOPLUS i5-PakTM (IXTL)S G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; R

 7.1. Size:66K  ixys
 ixtl2x240n055t.pdf

IXTL2x220N075T IXTL2x220N075T

Advance Technical InformationIXTL2x240N055T VDSS =55 VTrenchMVTMID25 = 2x140 APower MOSFETs RDS(on) 4.4 m Common-Gate PairDD(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated RG RGISOPLUS i5-PakTM (IXTL)S G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C55 VVDGR TJ = 25C to 175C; RG

 7.2. Size:66K  ixys
 ixtl2x200n085t.pdf

IXTL2x220N075T IXTL2x220N075T

Advance Technical InformationTrenchMVTMIXTL2x200N085TVDSS = 85 VID25 = 2x112 APower MOSFETs RDS(on) 6.0 m Common-Gate PairDD(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeRG RGAvalanche RatedISOPLUS i5-PakTM (IXTL)S G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C85 VVDGR TJ = 25C to 175C;

 8.1. Size:66K  ixys
 ixtl2x180n10t.pdf

IXTL2x220N075T IXTL2x220N075T

Advance Technical InformationTrenchMVTMIXTL2x180N10TVDSS = 100 VID25 = 2x100 APower MOSFETs RDS(on) 7.4 m Common-Gate PairDD(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeRG RGISOPLUS i5-PakTM (IXTL)Avalanche RatedS G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 100 VVDGR TJ = 25C to 175

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top