Справочник MOSFET. IXTN120N25

 

IXTN120N25 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTN120N25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 730 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 350 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOT227B

 Аналог (замена) для IXTN120N25

 

 

IXTN120N25 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:177K  ixys
 ixtn120p20t.pdf

IXTN120N25 IXTN120N25

Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = - 200VIXTN120P20TPower MOSFETs ID25 = - 106A RDS(on) 30m trr 300nsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedminiBLOCFast Intrinsic RectifierE153432SGSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C - 200 VSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M -

 9.1. Size:170K  ixys
 ixtn110n20l2.pdf

IXTN120N25 IXTN120N25

Advance Technical Information Linear L2TM Power VDSS = 200V IXTN110N20L2 MOSFET w/Extended ID25 = 100A 24m FBSOA RDS(on) N-Channel Enhancement Mode Guaranteed FBSOA Avalanche Rated miniBLOC, SOT-227 E153432 S Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 200 VVGSS Co

 9.2. Size:126K  ixys
 ixtn102n65x2.pdf

IXTN120N25 IXTN120N25

Advance Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTN102N65X2Power MOSFET ID25 = 76A RDS(on) 30m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedminiBLOCFast Intrinsic DiodeE153432SGSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VSVGSS Continuous 30 VDVG

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top