IXTN30N100L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTN30N100L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 800 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1000 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: SOT227B

Аналог (замена) для IXTN30N100L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTN30N100L даташит

No data!

Другие IGBT... IXTL2x240N055T, IXTN110N20L2, IXTN120N25, IXTN170P10P, IXTN17N120L, IXTN200N10L2, IXTN200N10T, IXTN22N100L, TK10A60D, IXTN320N10T, IXTN32P60P, IXTN40P50P, IXTN46N50L, IXTN550N055T2, IXTN5N250, IXTN600N04T2, IXTN60N50L2