IXTN320N10T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: IXTN320N10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 680 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 320 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 375 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: SOT227
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам