IXTN32P60P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTN32P60P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 890 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 480 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: SOT227

Аналог (замена) для IXTN32P60P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTN32P60P даташит

No data!

Другие IGBT... IXTN120N25, IXTN170P10P, IXTN17N120L, IXTN200N10L2, IXTN200N10T, IXTN22N100L, IXTN30N100L, IXTN320N10T, BS170, IXTN40P50P, IXTN46N50L, IXTN550N055T2, IXTN5N250, IXTN600N04T2, IXTN60N50L2, IXTN62N50L, IXTN8N150L