IXTN5N250 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: IXTN5N250
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 700 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 2500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 1200 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.8 Ohm
   Тип корпуса: SOT227
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам