IXTN5N250 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTN5N250

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 700 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 2500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1200 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.8 Ohm

Тип корпуса: SOT227

Аналог (замена) для IXTN5N250

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTN5N250 даташит

No data!

Другие IGBT... IXTN200N10T, IXTN22N100L, IXTN30N100L, IXTN320N10T, IXTN32P60P, IXTN40P50P, IXTN46N50L, IXTN550N055T2, 2SK3568, IXTN600N04T2, IXTN60N50L2, IXTN62N50L, IXTN8N150L, IXTN90N25L2, IXTN90P20P, IXTP01N100D, IXTP02N120P