IXTN8N150L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTN8N150L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 545 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1700 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.6 Ohm

Тип корпуса: SOT227B

Аналог (замена) для IXTN8N150L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTN8N150L даташит

No data!

Другие IGBT... IXTN32P60P, IXTN40P50P, IXTN46N50L, IXTN550N055T2, IXTN5N250, IXTN600N04T2, IXTN60N50L2, IXTN62N50L, SI2302, IXTN90N25L2, IXTN90P20P, IXTP01N100D, IXTP02N120P, IXTP02N50D, IXTP05N100, IXTP05N100M, IXTP05N100P