IXTN8N150L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: IXTN8N150L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 545 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 1700 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.6 Ohm
   Тип корпуса: SOT227B
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам