IXTN90N25L2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTN90N25L2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 735 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 266 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm

Тип корпуса: SOT227

Аналог (замена) для IXTN90N25L2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTN90N25L2 даташит

No data!

Другие IGBT... IXTN40P50P, IXTN46N50L, IXTN550N055T2, IXTN5N250, IXTN600N04T2, IXTN60N50L2, IXTN62N50L, IXTN8N150L, AO3407, IXTN90P20P, IXTP01N100D, IXTP02N120P, IXTP02N50D, IXTP05N100, IXTP05N100M, IXTP05N100P, IXTP06N120P