IXTN90P20P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: IXTN90P20P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 890 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 315 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm
   Тип корпуса: SOT227
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам