Справочник MOSFET. IXTP160N04T2

 

IXTP160N04T2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTP160N04T2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 250 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 160 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 79 nC
   Время нарастания (tr): 40 ns
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IXTP160N04T2

 

 

IXTP160N04T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  ixys
ixta160n04t2 ixtp160n04t2.pdf

IXTP160N04T2 IXTP160N04T2

Preliminary Technical InformationIXTA160N04T2 VDSS = 40VTrenchT2TMIXTP160N04T2 ID25 = 160APower MOSFET RDS(on) 5m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 175C40 VSVDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 40 V(TAB)VGSM Transient 20 VTO-220 (IXTP)ID25 TC

 5.1. Size:133K  ixys
ixtp160n085t.pdf

IXTP160N04T2 IXTP160N04T2

Advance Technical InformationIXTQ 160N085T VDSS = 85 VTrench GateIXTA 160N085T ID25 = 160 APower MOSFETIXTP 160N085T RDS(on) = 6.0 mN-Channel Enhancement ModeTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C85 VGVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 85 VD(TAB)SVGSM 20 VTO-220 (IXTP)ID25 TC = 25C 160 AIDRM

 5.2. Size:174K  ixys
ixta160n075t ixtp160n075t.pdf

IXTP160N04T2 IXTP160N04T2

Preliminary Technical InformationIXTA160N075T VDSS = 75 VTrenchMVTMIXTP160N075T ID25 = 160 APower MOSFET RDS(on) 6.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 75 VGVGSM Transient 20 V S D (TAB)ID25 TC = 25C 16

 6.1. Size:174K  ixys
ixta160n10t ixtp160n10t.pdf

IXTP160N04T2 IXTP160N04T2

Preliminary Technical InformationIXTA160N10T VDSS = 100 VTrenchMVTMIXTP160N10T ID25 = 160 APower MOSFET RDS(on) 7.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)GSSymbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)VDSS TJ = 25C to 175C 100 VTO-220 (IXTP)VDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 100 VVGSM Transient 30 V

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top