IXTP182N055T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXTP182N055T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 360 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 182 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 114 nC
Время нарастания (tr): 70 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.005 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для IXTP182N055T
IXTP182N055T Datasheet (PDF)
ixta182n055t ixtp182n055t.pdf
Preliminary Technical InformationIXTA182N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMIXTP182N055T ID25 = 182 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 175 C55 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25 T
ixta180n10t ixtp180n10t.pdf
IXTA180N10T VDSS = 100VTrenchMVTMIXTP180N10T ID25 = 180APower MOSFET RDS(on) 6.4m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)GSSymbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)VDSS TJ = 25C to 175C 100 VTO-220 (IXTP)VDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 100 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 180 AILRMS Lead Cur
ixta180n055t ixtp180n055t ixtq180n055t.pdf
Advance Technical InformationIXTQ 180N055T VDSS = 55 VTrench GateIXTA 180N055T ID25 = 180 APower MOSFETIXTP 180N055T RDS(on) = 4.0 mN-Channel Enhancement ModeTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C55 VGVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 55 VD(TAB)SVGSM 20 VTO-220 (IXTP)ID25 TC = 25C 180 AIDRM
ixta180n085t ixtp180n085t.pdf
Preliminary Technical InformationIXTA180N085T VDSS = 85 VTrenchMVTMIXTP180N085T ID25 = 180 APower MOSFET RDS(on) 5.5 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 175 C85 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25 T
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
