Справочник MOSFET. IXTP182N055T

 

IXTP182N055T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTP182N055T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 182 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IXTP182N055T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTP182N055T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:221K  ixys
 ixta182n055t ixtp182n055t.pdf pdf_icon

IXTP182N055T

Preliminary Technical InformationIXTA182N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMIXTP182N055T ID25 = 182 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 175 C55 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25 T

 8.1. Size:154K  ixys
 ixta180n10t ixtp180n10t.pdf pdf_icon

IXTP182N055T

IXTA180N10T VDSS = 100VTrenchMVTMIXTP180N10T ID25 = 180APower MOSFET RDS(on) 6.4m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)GSSymbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)VDSS TJ = 25C to 175C 100 VTO-220 (IXTP)VDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 100 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 180 AILRMS Lead Cur

 8.2. Size:108K  ixys
 ixta180n055t ixtp180n055t ixtq180n055t.pdf pdf_icon

IXTP182N055T

Advance Technical InformationIXTQ 180N055T VDSS = 55 VTrench GateIXTA 180N055T ID25 = 180 APower MOSFETIXTP 180N055T RDS(on) = 4.0 mN-Channel Enhancement ModeTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C55 VGVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 55 VD(TAB)SVGSM 20 VTO-220 (IXTP)ID25 TC = 25C 180 AIDRM

 8.3. Size:214K  ixys
 ixta180n085t ixtp180n085t.pdf pdf_icon

IXTP182N055T

Preliminary Technical InformationIXTA180N085T VDSS = 85 VTrenchMVTMIXTP180N085T ID25 = 180 APower MOSFET RDS(on) 5.5 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 175 C85 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25 T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTP160N04T2 , IXTP160N075T , IXTP160N10T , IXTP16N50P , IXTP16N50PM , IXTP170N075T2 , IXTP180N085T , IXTP180N10T , IRF1404 , IXTP18N60PM , IXTP18P10T , IXTP1N100P , IXTP1N120P , IXTP1N80 , IXTP1N80P , IXTP1R4N100P , IXTP1R4N120P .

 

 
Back to Top

 


 
.