Справочник MOSFET. IXTP1N120P

 

IXTP1N120P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTP1N120P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 900 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 20 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTP1N120P Datasheet (PDF)

 7.1. Size:95K  ixys
ixta1n100p ixtp1n100p.pdfpdf_icon

IXTP1N120P

Advance Technical InformationIXTA 1N100P VDSS = 1000 VPolarHVTMIXTP 1N100P ID25 = 1.2 APower MOSFETRDS(on) = 13 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VGVGS Continuous 20 VS(TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C

 7.2. Size:535K  ixys
ixta1n100 ixtp1n100.pdfpdf_icon

IXTP1N120P

VDSS = 1000 VIXTA 1N100High Voltage MOSFETIXTP 1N100 ID25 = 1.5 A RDS(on) = 11 N-Channel Enhancement ModeAvalanche Energy RatedSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VVGS Continuous 30 VD (TAB)GVGSM Transient 40 VDSID25 TC = 25C 1.5 AIDM TC =

 8.1. Size:60K  ixys
ixta1n80 ixtp1n80 ixty1n80.pdfpdf_icon

IXTP1N120P

IXTA 1N80VDSS = 800 VHigh Voltage MOSFETIXTP 1N80ID25 = 750 mAIXTY 1N80N-Channel Enhancement ModeRDS(on) = 11 Avalanche Energy RatedPreliminary DataSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VD (TAB)VGS Continuous 20 VGDSVGSM Transient 30 VID25 T

 8.2. Size:161K  ixys
ixta1n80p ixtp1n80p ixtu1n80p ixty1n80p.pdfpdf_icon

IXTP1N120P

Preliminary Technical InformationVDSS = 800VIXTA1N80PPolarTM PowerID25 = 1AIXTP1N80PMOSFET RDS(on) 14 IXTU1N80PIXTY1N80PN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA) TO-220 (IXTP) TO-251 (IXTU)GG(TAB)(TAB)(TAB)S G DDSSSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-252 (IXTY)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVD

Другие MOSFET... IXTP16N50PM , IXTP170N075T2 , IXTP180N085T , IXTP180N10T , IXTP182N055T , IXTP18N60PM , IXTP18P10T , IXTP1N100P , IRF3710 , IXTP1N80 , IXTP1N80P , IXTP1R4N100P , IXTP1R4N120P , IXTP1R4N60P , IXTP1R6N100D2 , IXTP1R6N50D2 , IXTP1R6N50P .

History: DMN3052LSS | FHF630A | SRT08N025HT

 

 
Back to Top

 


 
.