3SK180 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 3SK180
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 15 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 7 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm
Тип корпуса: SOT143
3SK180 Datasheet (PDF)
3sk180.pdf
Ordering number:ENN2129BN-Channel Silicon MOSFET (Dual Gate)3SK180High-Frequency General-Purpose AmplifierApplicationsApplications Package Dimensions FM tuners and VHF tuners. unit:mm2046AFeatures [3SK180]1.9 High power gain and low noise figure.0.95 0.95 High forward transfer admittance.0.40.164 30 to 0.11 20.60.95 0.851 : Drain2.92 : Source
3sk186.pdf
3SK186Silicon N-Channel Dual Gate MOS FETApplicationUHF TV tuner RF amplifierOutlineMPAK-42311. Source42. Gate13. Gate24. Drain3SK186Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitDrain to source voltage VDS 12 VGate 1 to source voltage VG1S 10 VGate 2 to source voltage VG2S 10 VDrain current ID 35 mAChannel power dissipation Pch 15
Другие MOSFET... 3SK15A , 3SK16 , 3SK162 , 3SK169P , 3SK169Q , 3SK17 , 3SK171 , 3SK179 , IRF640N , 3SK180-4 , 3SK180-5 , 3SK180-6 , 3SK181 , 3SK181-4 , 3SK181-5 , 3SK181-6 , 3SK182 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918