Справочник MOSFET. IXTP450P2

 

IXTP450P2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTP450P2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.33 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IXTP450P2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTP450P2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  ixys
ixtp450p2 ixth450p2 ixtq450p2.pdfpdf_icon

IXTP450P2

Advance Technical InformationPolarP2TM VDSS = 500VIXTP450P2ID25 = 16APower MOSFETIXTQ450P2 RDS(on) 330m IXTH450P2trr(typ) = 400nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220AB (IXTP)Fast Intrinsic DiodeGDTabSSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VTO-3P (IXTQ)VDGR TJ = 25C to 150C, RG

 ..2. Size:259K  inchange semiconductor
ixtp450p2.pdfpdf_icon

IXTP450P2

isc N-Channel MOSFET Transistor IXTP450P2FEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PA

 9.1. Size:238K  ixys
ixta4n65x2 ixtp4n65x2 ixty4n65x2.pdfpdf_icon

IXTP450P2

Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTY4N65X2Power MOSFET ID25 = 4AIXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VTO-263 (IXTA)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VG

 9.2. Size:154K  ixys
ixta460p2-ixtp460p2-ixtq460p2-ixth460p2.pdfpdf_icon

IXTP450P2

PolarP2TM VDSS = 500VIXTA460P2ID25 = 24APower MOSFETIXTP460P2 RDS(on) 270m IXTQ460P2N-Channel Enhancement Modetrr(typ) = 400nsAvalanche Rated IXTH460P2Fast Intrinsic DiodeTO-220AB (IXTP)TO-263 AA (IXTA)TO-3P (IXTQ)GGS DGD SD (Tab)D (Tab) SD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 V

Другие MOSFET... IXTP3N120 , IXTP3N50D2 , IXTP3N50P , IXTP3N60P , IXTP42N15T , IXTP42N25P , IXTP44N10T , IXTP44P15T , P0903BDG , IXTP460P2 , IXTP48N20T , IXTP48P05T , IXTP4N60P , IXTP4N80P , IXTP50N085T , IXTP50N20P , IXTP50N20PM .

 

 
Back to Top

 


 
.