IXTP5N60P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTP5N60P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 500 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IXTP5N60P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTP5N60P даташит

 ..1. Size:120K  ixys
 ixta5n60p ixtp5n60p.pdf pdf_icon

IXTP5N60P

VDSS = 600 V IXTA 5N60P PolarHVTM ID25 = 5 A IXTP 5N60P Power MOSFET RDS(on) 1.7 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 175 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 600 V VGSS Continuous 30 V G VGSM Transient 40 V S (TAB) ID25 TC = 25 C5 A TO-220 (I

 9.1. Size:186K  ixys
 ixta52p10p ixtp52p10p ixtq52p10p ixth52p10p.pdf pdf_icon

IXTP5N60P

PolarPTM VDSS = - 100V IXTA52P10P ID25 = - 52A Power MOSFETs IXTP52P10P RDS(on) 50m IXTQ52P10P P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated IXTH52P10P TO-3P (IXTQ) TO-263 AA (IXTA) TO-220AB (IXTP) D G G G S D G S S D (Tab) D D (Tab) S Tab Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C -100 V VDGR TJ = 2

 9.2. Size:171K  ixys
 ixtp50n085t ixty50n085t.pdf pdf_icon

IXTP5N60P

Preliminary Technical Information IXTP50N085T VDSS = 85 V TrenchMVTM IXTY50N085T ID25 = 50 A Power MOSFET RDS(on) 23 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-220 (IXTP) D (TAB) G D S Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-252 (IXTY) VDSS TJ = 25 C to 175 C85 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 V G VGSM Transient 20 V

 9.3. Size:230K  ixys
 ixta50n25t ixtq50n25t ixtp50n25t ixth50n25t.pdf pdf_icon

IXTP5N60P

IXTA50N25T IXTQ50N25T Trench Gate VDSS = 250V IXTP50N25T IXTH50N25T ID25 = 50A Power MOSFET RDS(on) 60m N-Channel Enhancement Mode TO-263 AA (IXTA) TO-220AB (IXTP) TO-3P (IXTQ) G G D S S G D (Tab) D D (Tab) D (Tab) S TO-247 (IXTH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 250 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTP50N20P, IXTP50N20PM, IXTP50N25T, IXTP50N28T, IXTP52P10P, IXTP55N075T, IXTP56N15T, IXTP5N50P, P60NF06, IXTP60N10T, IXTP60N10TM, IXTP60N20T, IXTP60N28TM-A, IXTP62N15P, IXTP64N055T, IXTP6N100D2, IXTP6N50D2