IXTP80N10T - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

IXTP80N10T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTP80N10T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IXTP80N10T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

IXTP80N10T даташит

..1. Size:184K ixys
ixta80n10t ixtp80n10t.pdf pdf_icon

TrenchMVTM VDSS = 100V IXTA80N10T Power MOSFET ID25 = 80A IXTP80N10T RDS(on) 14m N-Channel Enhancement Mode TO-263 AA (IXTA) Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 175 C, RGS = 1M 100 V TO-220AB (IXTP) VGSS Continuous 20 V VGSM Transien

..2. Size:259K inchange semiconductor
ixtp80n10t.pdf pdf_icon

isc N-Channel MOSFET Transistor IXTP80N10T FEATURES With TO-220 packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL P

6.1. Size:305K cn vbsemi
ixtp80n12t2.pdf pdf_icon

IXTP80N12T2 www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature 0.0085 at VGS = 10 V 100 100 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 85 0.0100 at VGS = 6 V TO-220AB D TO-263 G DRAIN connected to TAB G D S Top View S G D S Top View N-Channel

6.2. Size:206K inchange semiconductor
ixtp80n12t2.pdf pdf_icon