Справочник MOSFET. IXTP80N10T

 

IXTP80N10T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTP80N10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IXTP80N10T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTP80N10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  ixys
 ixta80n10t ixtp80n10t.pdf pdf_icon

IXTP80N10T

TrenchMVTM VDSS = 100VIXTA80N10TPower MOSFET ID25 = 80AIXTP80N10T RDS(on) 14m N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXTA)Avalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 175C 100 VVDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 100 VTO-220AB (IXTP)VGSS Continuous 20 VVGSM Transien

 ..2. Size:259K  inchange semiconductor
 ixtp80n10t.pdf pdf_icon

IXTP80N10T

isc N-Channel MOSFET Transistor IXTP80N10TFEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL P

 6.1. Size:305K  cn vbsemi
 ixtp80n12t2.pdf pdf_icon

IXTP80N10T

IXTP80N12T2www.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature0.0085 at VGS = 10 V100100 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC850.0100 at VGS = 6 VTO-220ABD TO-263G DRAIN connected to TAB G D S Top ViewS G D S Top ViewN-Channel

 6.2. Size:206K  inchange semiconductor
 ixtp80n12t2.pdf pdf_icon

IXTP80N10T

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IXTP80N12T2FEATURESDrain-Source On-Resistance: R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTP70N075T2 , IXTP70N085T , IXTP75N10P , IXTP76N075T , IXTP76N25T , IXTP76P10T , IXTP7N60P , IXTP7N60PM , HY1906P , IXTP80N12T2 , IXTP86N20T , IXTP88N085T , IXTP8N50P , IXTP8N50PM , IXTP90N055T , IXTP90N055T2 , IXTP90N075T2 .

History: IRF7204PBF | HAF2007-90S | KTK5131E | SFU9024 | WMB043N10LGS | OSG65R260FSF_NB | TK40P04M

 

 
Back to Top

 


 
.