IXTP88N085T - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

IXTP88N085T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTP88N085T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IXTP88N085T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

IXTP88N085T даташит

..1. Size:217K ixys
ixta88n085t ixtp88n085t.pdf pdf_icon

Preliminary Technical Information IXTA88N085T VDSS = 85 V TrenchMVTM IXTP88N085T ID25 = 88 A Power MOSFET RDS(on) 11 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 175 C85 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 V G VGSM Transient 20 V S (TAB) ID25 TC =

9.1. Size:106K ixys
ixtp8n50pm.pdf pdf_icon

Preliminary Technical Information IXTP 8N50PM VDSS = 500 V PolarHVTM ID25 = 4 A Power MOSFET RDS(on) 0.8 (Electrically Isolated Tab) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings OVERMOLDED TO-220 (IXTP...M) OUTLINE VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGS

9.2. Size:238K ixys
ixta8n65x2 ixtp8n65x2 ixty8n65x2.pdf pdf_icon

Preliminary Technical Information X2-Class VDSS = 650V IXTY8N65X2 Power MOSFET ID25 = 8A IXTA8N65X2 RDS(on) 500m IXTP8N65X2 N-Channel Enhancement Mode TO-252 (IXTY) G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V TO-263 (IXTA) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V VGSS Continuous 30 V G

9.3. Size:184K ixys
ixta80n10t ixtp80n10t.pdf pdf_icon

TrenchMVTM VDSS = 100V IXTA80N10T Power MOSFET ID25 = 80A IXTP80N10T RDS(on) 14m N-Channel Enhancement Mode TO-263 AA (IXTA) Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 175 C, RGS = 1M 100 V TO-220AB (IXTP) VGSS Continuous 20 V VGSM Transien