IXTP96P085T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTP96P085T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 298 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 96 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IXTP96P085T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTP96P085T даташит

 9.1. Size:215K  ixys
 ixta90n055t ixtp90n055t.pdf pdf_icon

IXTP96P085T

Preliminary Technical Information IXTA90N055T VDSS = 55 V TrenchMVTM IXTP90N055T ID25 = 90 A Power MOSFET RDS(on) 8.8 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 175 C55 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 V G VGSM Transient 20 V S (TAB) ID25 TC =

 9.2. Size:302K  cn vbsemi
 ixtp98n075t.pdf pdf_icon

IXTP96P085T

IXTP98N075T www.VBsemi.com N-Channel 80 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET a VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0065at VGS = 10 V 80 80 0.0070at VGS = 6.0 V 75 17.1 nC APPLICATIONS 0.0085at VGS = 4.5 V 65 Primary Side Switching TO-220AB Synchronous Rectification D DC/AC Inverters LED Back

Другие IGBT... IXTP86N20T, IXTP88N085T, IXTP8N50P, IXTP8N50PM, IXTP90N055T, IXTP90N055T2, IXTP90N075T2, IXTP90N15T, 20N60, IXTP98N075T, IXTQ100N25P, IXTQ102N15T, IXTQ102N20T, IXTQ10P50P, IXTQ110N055P, IXTQ110N10P, IXTQ120N15P