Справочник MOSFET. IXTQ182N055T

 

IXTQ182N055T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTQ182N055T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 182 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для IXTQ182N055T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTQ182N055T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  ixys
 ixth182n055t ixtq182n055t.pdf pdf_icon

IXTQ182N055T

Preliminary Technical InformationIXTH182N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMIXTQ182N055T ID25 = 182 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)Avalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsG(TAB)DVDSS TJ = 25 C to 175 C55 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VVGSM Transient 20 VTO-3P

 8.1. Size:205K  ixys
 ixth180n10t ixtq180n10t.pdf pdf_icon

IXTQ182N055T

Preliminary Technical InformationIXTH180N10T VDSS = 100 VTrenchMVTMIXTQ180N10T ID25 = 180 APower MOSFET RDS(on) 6.4 m N-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)Avalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsG(TAB)DVDSS TJ = 25 C to 175 C 100 VSVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 VVGSM Transient 30 VTO

 8.2. Size:203K  ixys
 ixth180n085t ixtq180n085t.pdf pdf_icon

IXTQ182N055T

Preliminary Technical InformationIXTH180N085T VDSS = 85 VTrenchMVTMIXTQ180N085T ID25 = 180 APower MOSFET RDS(on) 5.5 m N-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)Avalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsG(TAB)DSVDSS TJ = 25 C to 175 C85 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 VVGSM Transient 20 VTO-

 8.3. Size:171K  ixys
 ixtq18n60p ixtv18n60p.pdf pdf_icon

IXTQ182N055T

IXTQ 18N60P VDSS = 600 VPolarHVTMIXTV 18N60P ID25 = 18 APower MOSFET IXTV 18N60PS RDS(on) 420 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-3P (IXTQ)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGS Continuous 30 VGVGSM Tranisent 40 VD (TAB)DSID25 TC = 25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTQ152N085T , IXTQ160N075T , IXTQ160N085T , IXTQ160N10T , IXTQ16N50P , IXTQ170N10P , IXTQ180N085T , IXTQ180N10T , K3569 , IXTQ18N60P , IXTQ200N06P , IXTQ200N075T , IXTQ200N085T , IXTQ200N10T , IXTQ220N055T , IXTQ220N075T , IXTQ22N50P .

History: APT8052BFLLG | HGP115N15S | STL7N6LF3 | IXTB30N100L | SSM3K35CTC | HM7002JR | VBFB165R02

 

 
Back to Top

 


 
.