3SK186. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 3SK186
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.035 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
Электрические характеристики
Cossⓘ - Выходная емкость: 1 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 67 Ohm
Тип корпуса: SOT143
Аналог (замена) для 3SK186
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
3SK186 даташит
3sk186.pdf
3SK186 Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET Application UHF TV tuner RF amplifier Outline MPAK-4 2 3 1 1. Source 4 2. Gate1 3. Gate2 4. Drain 3SK186 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Drain to source voltage VDS 12 V Gate 1 to source voltage VG1S 10 V Gate 2 to source voltage VG2S 10 V Drain current ID 35 mA Channel power dissipation Pch 15
Другие MOSFET... 3SK180-4 , 3SK180-5 , 3SK180-6 , 3SK181 , 3SK181-4 , 3SK181-5 , 3SK181-6 , 3SK182 , P55NF06 , 3SK192P , 3SK192Q , 3SK193P , 3SK193Q , 3SK194 , 3SK202Q , 3SK202R , 3SK206 .
History: WMK18N70EM | LNTA7002NT1G
History: WMK18N70EM | LNTA7002NT1G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor | c5242 reemplazo | d667 transistor datasheet | hy1d datasheet | mp20a transistor | mrf450





