IXTQ30N50L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTQ30N50L  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 500 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXTQ30N50L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTQ30N50L даташит

 0.1. Size:142K  ixys
 ixth30n50l2-ixtq30n50l2-ixtt30n50l2.pdf pdf_icon

IXTQ30N50L

IXTH30N50L2 VDSS = 500V Linear L2TM Power IXTQ30N50L2 ID25 = 30A MOSFET with extended IXTT30N50L2 RDS(on) 200m FBSOA D D D D O D O N-Channel Enhancement Mode TO-247 (IXTH) RGi w w G O O (TAB) S Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V TO-3P (IXTQ) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 500 V VGSS Continu

 5.1. Size:336K  ixys
 ixth30n50p ixtq30n50p ixtt30n50p ixtv30n50p.pdf pdf_icon

IXTQ30N50L

VDSS = 500 V IXTH 30N50P PolarHVTM ID25 = 30 A IXTQ 30N50P Power MOSFET RDS(on) 200 m IXTT 30N50P N-Channel Enhancement Mode IXTV 30N50P Avalanche Rated IXTV 30N50PS TO-247 AD (IXTH) (TAB) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-3P (IXTQ) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGSS Continuo

 7.1. Size:352K  ixys
 ixth30n60p ixtq30n60p ixtt30n60p ixtv30n60p.pdf pdf_icon

IXTQ30N50L

 7.2. Size:392K  ixys
 ixth30n60p ixtq30n60p ixtt30n60p ixtv30n60p ixtv30n60ps.pdf pdf_icon

IXTQ30N50L

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTQ23N60Q, IXTQ240N055T, IXTQ24N55Q, IXTQ250N075T, IXTQ26N50P, IXTQ26N60P, IXTQ26P20P, IXTQ280N055T, IRF1010E, IXTQ30N50L2, IXTQ30N50P, IXTQ30N60L2, IXTQ30N60P, IXTQ32P20T, IXTQ36N30P, IXTQ36N50P, IXTQ36P15P