IXTQ36N30P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTQ36N30P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXTQ36N30P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTQ36N30P даташит

 ..1. Size:252K  ixys
 ixta36n30p ixtp36n30p ixtq36n30p.pdf pdf_icon

IXTQ36N30P

IXTA 36N30P VDSS = 300 V PolarHTTM IXTP 36N30P ID25 = 36 A Power MOSFET IXTQ 36N30P RDS(on) 110 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 (IXTA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 V S D(TAB) VGS Continuous 30 V VGSM Transient 40 V TO-220

 7.1. Size:361K  ixys
 ixth36n50p ixtq36n50p ixtt36n50p ixtv36n50p.pdf pdf_icon

IXTQ36N30P

IXTH 36N50P VDSS = 500 V PolarHVTM IXTQ 36N50P ID25 = 36 A Power MOSFET IXTT 36N50P RDS(on) 170 m IXTV 36N50P N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated IXTV 36N50PS TO-3P (IXTQ) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V (TAB) D S VGS Continuous 30 V VGS

 7.2. Size:402K  ixys
 ixth36n50p ixtq36n50p ixtt36n50p ixtv36n50p ixtv36n50ps.pdf pdf_icon

IXTQ36N30P

IXTH 36N50P VDSS = 500 V PolarHVTM IXTQ 36N50P ID25 = 36 A Power MOSFET IXTT 36N50P RDS(on) 170 m IXTV 36N50P N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated IXTV 36N50PS TO-3P (IXTQ) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V (TAB) D S VGS Continuous 30 V VGS

 7.3. Size:240K  inchange semiconductor
 ixtq36n50p.pdf pdf_icon

IXTQ36N30P

isc N-Channel MOSFET Transistor IXTQ36N50P FEATURES Drain Current I = 36A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.17 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTQ26P20P, IXTQ280N055T, IXTQ30N50L, IXTQ30N50L2, IXTQ30N50P, IXTQ30N60L2, IXTQ30N60P, IXTQ32P20T, AON7506, IXTQ36N50P, IXTQ36P15P, IXTQ40N50L2, IXTQ40N50Q, IXTQ42N25P, IXTQ44N50P, IXTQ44P15T, IXTQ450P2