Справочник MOSFET. IXTQ36N30P

 

IXTQ36N30P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTQ36N30P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 300 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 36 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 70 nC
   Время нарастания (tr): 250 ns
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для IXTQ36N30P

 

 

IXTQ36N30P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:252K  ixys
ixta36n30p ixtp36n30p ixtq36n30p.pdf

IXTQ36N30P IXTQ36N30P

IXTA 36N30P VDSS = 300 VPolarHTTMIXTP 36N30P ID25 = 36 APower MOSFET IXTQ 36N30P RDS(on) 110 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 300 VGVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 VSD(TAB)VGS Continuous 30 VVGSM Transient 40 VTO-220

 7.1. Size:361K  ixys
ixth36n50p ixtq36n50p ixtt36n50p ixtv36n50p.pdf

IXTQ36N30P IXTQ36N30P

IXTH 36N50P VDSS = 500 VPolarHVTMIXTQ 36N50P ID25 = 36 APower MOSFET IXTT 36N50P RDS(on) 170 m IXTV 36N50PN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated IXTV 36N50PSTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VGVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V(TAB)DSVGS Continuous 30 VVGS

 7.2. Size:402K  ixys
ixth36n50p ixtq36n50p ixtt36n50p ixtv36n50p ixtv36n50ps.pdf

IXTQ36N30P IXTQ36N30P

IXTH 36N50P VDSS = 500 VPolarHVTMIXTQ 36N50P ID25 = 36 APower MOSFET IXTT 36N50P RDS(on) 170 m IXTV 36N50PN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated IXTV 36N50PSTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VGVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V(TAB)DSVGS Continuous 30 VVGS

 7.3. Size:240K  inchange semiconductor
ixtq36n50p.pdf

IXTQ36N30P IXTQ36N30P

isc N-Channel MOSFET Transistor IXTQ36N50PFEATURESDrain Current I = 36A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.17(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top