IXTQ60N20L2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTQ60N20L2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 540 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 330 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXTQ60N20L2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTQ60N20L2 даташит

 0.1. Size:149K  ixys
 ixtt60n20l2-ixtq60n20l2-ixth60n20l2.pdf pdf_icon

IXTQ60N20L2

Advance Technical Information Linear L2TM Power VDSS = 200V IXTT60N20L2 MOSFET w/ Extended ID25 = 60A IXTQ60N20L2 RDS(on) 45m FBSOA IXTH60N20L2 TO-268 (IXTT) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated G S Tab Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V TO-3P (IXTQ) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 200 V VGSS

 5.1. Size:135K  ixys
 ixta60n20t ixtp60n20t ixtq60n20t.pdf pdf_icon

IXTQ60N20L2

TrenchTM VDSS = 200V IXTA60N20T Power MOSFET ID25 = 60A IXTP60N20T RDS(on) 40m IXTQ60N20T TO-263 AA (IXTA) N-Channel Enhancement Mode For PDP Drivers G Avalanche Rated S D (Tab) TO-220AB (IXTP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 175 C, RGS = 1M 200 V G VGSS Continuous 20 V D D (

 9.1. Size:252K  ixys
 ixta62n15p ixtp62n15p ixtq62n15p.pdf pdf_icon

IXTQ60N20L2

IXTA 62N15P VDSS = 150 V PolarHTTM IXTP 62N15P ID25 = 62 A Power MOSFET IXTQ 62N15P RDS(on) 40 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 (IXTA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 150 V G S VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 150 V (TAB) VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V TO-220 (I

 9.2. Size:169K  ixys
 ixtq69n30p ixtt69n30p.pdf pdf_icon

IXTQ60N20L2

IXTQ69N30P VDSS = 300 V PolarHTTM IXTT69N30P ID25 = 69 A Power MOSFET RDS(on) 49 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-3P (IXTQ) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 V VGSS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V G D ID25 TC = 25 C69 A (TAB)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTQ480P2, IXTQ48N20T, IXTQ50N20P, IXTQ50N25T, IXTQ50N28T, IXTQ52N30P, IXTQ52P10P, IXTQ60N10T, STF13NM60N, IXTQ60N20T, IXTQ62N15P, IXTQ64N25P, IXTQ69N30P, IXTQ69N30PM, IXTQ74N20P, IXTQ75N10P, IXTQ76N25T