IXTQ60N20T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXTQ60N20T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 500 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
Общий заряд затвора (Qg): 73 nC
Время нарастания (tr): 118 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для IXTQ60N20T
IXTQ60N20T Datasheet (PDF)
ixta60n20t ixtp60n20t ixtq60n20t.pdf
TrenchTM VDSS = 200VIXTA60N20TPower MOSFET ID25 = 60AIXTP60N20T RDS(on) 40m IXTQ60N20TTO-263 AA (IXTA)N-Channel Enhancement ModeFor PDP DriversGAvalanche RatedSD (Tab)TO-220AB (IXTP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 200 VVDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 200 VGVGSS Continuous 20 VDD (
ixtt60n20l2-ixtq60n20l2-ixth60n20l2.pdf
Advance Technical InformationLinear L2TM Power VDSS = 200VIXTT60N20L2MOSFET w/ Extended ID25 = 60AIXTQ60N20L2 RDS(on) 45m FBSOAIXTH60N20L2TO-268 (IXTT)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedGSTabSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 200 VTO-3P (IXTQ)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 200 VVGSS
ixta62n15p ixtp62n15p ixtq62n15p.pdf
IXTA 62N15P VDSS = 150 VPolarHTTMIXTP 62N15P ID25 = 62 APower MOSFETIXTQ 62N15P RDS(on) 40 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 175 C 150 VGSVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 150 V(TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VTO-220 (I
ixtq69n30p ixtt69n30p.pdf
IXTQ69N30P VDSS = 300 VPolarHTTMIXTT69N30P ID25 = 69 APower MOSFET RDS(on) 49 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 300 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGDID25 TC = 25 C69 A(TAB)
ixtq64n25p ixtt64n25p.pdf
VDSS = 250 VIXTQ 64N25PPolarHTTMID25 = 64 AIXTT 64N25PPower MOSFET RDS(on) 49 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 250 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 250 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGDID25 TC = 25 C64 A(TAB
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
