3SK194 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 3SK194
Маркировка: IY-
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.15 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 15 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.035 A
Максимальная температура канала (Tj): 125 °C
Выходная емкость (Cd): 1.8 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 59 Ohm
Тип корпуса: SOT143
3SK194 Datasheet (PDF)
3sk194.pdf
3SK194Silicon N-Channel Dual Gate MOS FETApplicationVHF/UHF TV tuner RF amplifierOutlineMPAK-42311. Source42. Gate13. Gate24. Drain3SK194Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitDrain to source voltage VDS 15 VGate 1 to source voltage VG1S 10 VGate 2 to source voltage VG2S 10 VDrain current ID 35 mAChannel power dissipation Pc
3sk192p 3sk192q.pdf
Maintenance/DiscontinuedMaintenance/Discontinued includes following four Product lifecycle stage.(planed maintenance type, maintenance type, planed discontinued typed, discontinued type)Maintenance/DiscontinuedMaintenance/Discontinued includes following four Product lifecycle stage.(planed maintenance type, maintenance type, planed discontinued typed, discontinued type)Mainten
3sk199.pdf
3SK199 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Dual Gate MOS Type 3SK199 TV Tuner, UHF RF Amplifier Applications Unit: mm Superior cross modulation performance. Low reverse transfer capacitance: C = 0.015 pF (typ.) rss Low noise figure: NF = 1.9dB (typ.) Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDS 13
Другие MOSFET... 3SK181-5 , 3SK181-6 , 3SK182 , 3SK186 , 3SK192P , 3SK192Q , 3SK193P , 3SK193Q , 7N65 , 3SK202Q , 3SK202R , 3SK206 , 3SK222 , 3SK219 , 3SK223 , 3SK224 , 3SK227 .
