IXTR200N10P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTR200N10P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXTR200N10P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTR200N10P даташит

 ..1. Size:151K  ixys
 ixtr200n10p.pdf pdf_icon

IXTR200N10P

 9.1. Size:197K  ixys
 ixtr210p10t.pdf pdf_icon

IXTR200N10P

Другие IGBT... IXTQ88N28T, IXTQ88N30P, IXTQ90N15T, IXTQ96N15P, IXTQ96N20P, IXTQ96N25T, IXTR16P60P, IXTR170P10P, RU7088R, IXTR20P50P, IXTR30N25, IXTR32P60P, IXTR36P15P, IXTR40P50P, IXTR48P20P, IXTR62N15P, IXTR90P10P