IXTR20P50P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXTR20P50P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 103 nC
trⓘ - Время нарастания: 406 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.49 Ohm
Тип корпуса: ISOPLUAS247
Аналог (замена) для IXTR20P50P
IXTR20P50P Datasheet (PDF)
ixtr200n10p.pdf
VDSS = 100 VIXTR 200N10PPolarTM HiPerFETID25 = 120 APower MOSFET RDS(on) 8 m Electrically Isolated TabN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Recovery DiodeISOPLUS 247TM (IXTR)Symbol Test Conditions Maximum Ratings E153432VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 VVGS 20 VVGSM
ixtr210p10t.pdf
Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = -100VIXTR210P10TPower MOSFET ID25 = -158A RDS(on) 8m P-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierISOPLUS247E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C -100 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M -100 VIsolated TabDSVGSS Continuous
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
