Справочник MOSFET. IXTR20P50P

 

IXTR20P50P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTR20P50P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 406 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.49 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUAS247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTR20P50P Datasheet (PDF)

 8.1. Size:151K  ixys
 ixtr200n10p.pdf pdf_icon

IXTR20P50P

VDSS = 100 VIXTR 200N10PPolarTM HiPerFETID25 = 120 APower MOSFET RDS(on) 8 m Electrically Isolated TabN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Recovery DiodeISOPLUS 247TM (IXTR)Symbol Test Conditions Maximum Ratings E153432VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 VVGS 20 VVGSM

 9.1. Size:197K  ixys
 ixtr210p10t.pdf pdf_icon

IXTR20P50P

Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = -100VIXTR210P10TPower MOSFET ID25 = -158A RDS(on) 8m P-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierISOPLUS247E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C -100 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M -100 VIsolated TabDSVGSS Continuous

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STD20NF06L | PNMET20V06E | SPD04N60C3 | OSG55R074HSZF | 2SK1501 | BUK9E3R2-40B | FDC654P

 

 
Back to Top

 


 
.