Справочник MOSFET. IXTR20P50P

 

IXTR20P50P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTR20P50P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 406 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.49 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUAS247
 

 Аналог (замена) для IXTR20P50P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTR20P50P Datasheet (PDF)

 8.1. Size:151K  ixys
 ixtr200n10p.pdf pdf_icon

IXTR20P50P

VDSS = 100 VIXTR 200N10PPolarTM HiPerFETID25 = 120 APower MOSFET RDS(on) 8 m Electrically Isolated TabN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Recovery DiodeISOPLUS 247TM (IXTR)Symbol Test Conditions Maximum Ratings E153432VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 VVGS 20 VVGSM

 9.1. Size:197K  ixys
 ixtr210p10t.pdf pdf_icon

IXTR20P50P

Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = -100VIXTR210P10TPower MOSFET ID25 = -158A RDS(on) 8m P-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierISOPLUS247E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C -100 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M -100 VIsolated TabDSVGSS Continuous

Другие MOSFET... IXTQ88N30P , IXTQ90N15T , IXTQ96N15P , IXTQ96N20P , IXTQ96N25T , IXTR16P60P , IXTR170P10P , IXTR200N10P , 2N7002 , IXTR30N25 , IXTR32P60P , IXTR36P15P , IXTR40P50P , IXTR48P20P , IXTR62N15P , IXTR90P10P , IXTR90P20P .

History: UF840KL-TN3-R | IRF1503S | IRFU3418PBF | QM06N65F | CJ2324 | F3F90HVX2 | VBE1206N

 

 
Back to Top

 


 
.