IXTR20P50P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTR20P50P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 406 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.49 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUAS247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXTR20P50P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTR20P50P даташит

 8.1. Size:151K  ixys
 ixtr200n10p.pdf pdf_icon

IXTR20P50P

 9.1. Size:197K  ixys
 ixtr210p10t.pdf pdf_icon

IXTR20P50P

Другие IGBT... IXTQ88N30P, IXTQ90N15T, IXTQ96N15P, IXTQ96N20P, IXTQ96N25T, IXTR16P60P, IXTR170P10P, IXTR200N10P, MMIS60R580P, IXTR30N25, IXTR32P60P, IXTR36P15P, IXTR40P50P, IXTR48P20P, IXTR62N15P, IXTR90P10P, IXTR90P20P