Справочник MOSFET. IXTR36P15P

 

IXTR36P15P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTR36P15P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS247
 

 Аналог (замена) для IXTR36P15P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTR36P15P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:77K  ixys
 ixtr30n25.pdf pdf_icon

IXTR36P15P

Advance Technical InformationStandard Power MOSFETsIXTR 30N25VDSS = 250 VISOPLUS247TM ID (cont) = 25 ARDS(on) = 75 m(Electrically Isolated Backside)N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM E153432VDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 250 VVGS Continu

Другие MOSFET... IXTQ96N20P , IXTQ96N25T , IXTR16P60P , IXTR170P10P , IXTR200N10P , IXTR20P50P , IXTR30N25 , IXTR32P60P , AO4468 , IXTR40P50P , IXTR48P20P , IXTR62N15P , IXTR90P10P , IXTR90P20P , IXTT100N25P , IXTT10N100D , IXTT10N100D2 .

History: HGT022N12S | DMP6110SSD | HUFA76437P3 | 2SK2513 | PSMN5R8-30LL | CEM3258

 

 
Back to Top

 


 
.