Справочник MOSFET. IXTT360N055T2

 

IXTT360N055T2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTT360N055T2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 935 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 360 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 330 nC
   trⓘ - Время нарастания: 78 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: TO268
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTT360N055T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:181K  ixys
ixth360n055t2 ixtt360n055t2.pdfpdf_icon

IXTT360N055T2

Preliminary Technical InformationVDSS = 55VTrenchT2TM PowerIXTH360N055T2ID25 = 360AMOSFET IXTT360N055T2 RDS(on) 2.4m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-247 (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGDVDSS TJ = 25C to 175C55 V (TAB)SVDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 55 VVGSM Transient

 8.1. Size:361K  ixys
ixth36n50p ixtq36n50p ixtt36n50p ixtv36n50p.pdfpdf_icon

IXTT360N055T2

IXTH 36N50P VDSS = 500 VPolarHVTMIXTQ 36N50P ID25 = 36 APower MOSFET IXTT 36N50P RDS(on) 170 m IXTV 36N50PN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated IXTV 36N50PSTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VGVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V(TAB)DSVGS Continuous 30 VVGS

 8.2. Size:402K  ixys
ixth36n50p ixtq36n50p ixtt36n50p ixtv36n50p ixtv36n50ps.pdfpdf_icon

IXTT360N055T2

IXTH 36N50P VDSS = 500 VPolarHVTMIXTQ 36N50P ID25 = 36 APower MOSFET IXTT 36N50P RDS(on) 170 m IXTV 36N50PN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated IXTV 36N50PSTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VGVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V(TAB)DSVGS Continuous 30 VVGS

 9.1. Size:142K  ixys
ixth30n50l2-ixtq30n50l2-ixtt30n50l2.pdfpdf_icon

IXTT360N055T2

IXTH30N50L2 VDSS = 500VLinear L2TM PowerIXTQ30N50L2 ID25 = 30AMOSFET with extended IXTT30N50L2 RDS(on) 200m FBSOADDDDO DON-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)RGiwwG OO(TAB)SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VTO-3P (IXTQ)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 500 VVGSS Continu

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: WMK18N50C4

 

 
Back to Top

 


 
.