Справочник MOSFET. IXTT440N055T2

 

IXTT440N055T2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTT440N055T2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 440 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 76 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm
   Тип корпуса: TO268
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTT440N055T2 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:190K  ixys
 ixtt4n150hv.pdf pdf_icon

IXTT440N055T2

High Voltage VDSS = 1500VIXTA4N150HVID25 = 4APower MOSFETsIXTT4N150HV RDS(on) 6 N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeTO-263HVSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VD (Tab)VGSS Continuous 30 VVGSM Trans

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AO4403 | 2SK4108 | CM20N50P | JCS2N60MB | 2SK2424 | P0908ATF | AP9997GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.