Справочник MOSFET. IXTT440N055T2

 

IXTT440N055T2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTT440N055T2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 440 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm
   Тип корпуса: TO268
 

 Аналог (замена) для IXTT440N055T2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTT440N055T2 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:190K  ixys
 ixtt4n150hv.pdf pdf_icon

IXTT440N055T2

High Voltage VDSS = 1500VIXTA4N150HVID25 = 4APower MOSFETsIXTT4N150HV RDS(on) 6 N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeTO-263HVSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VD (Tab)VGSS Continuous 30 VVGSM Trans

Другие MOSFET... IXTT30N50L , IXTT30N50L2 , IXTT30N50P , IXTT30N60L2 , IXTT30N60P , IXTT360N055T2 , IXTT36N50P , IXTT40N50L2 , IRF4905 , IXTT48P20P , IXTT500N04T2 , IXTT50N30 , IXTT50P085 , IXTT50P10 , IXTT52N30P , IXTT60N10 , IXTT60N20L2 .

History: TDM3512 | IPB80N04S4-04 | STP10NM60ND | UTT6NP10L-TN4-R | 30N20 | SM4025PSU | AP2328GN

 

 
Back to Top

 


 
.