IXTT440N055T2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTT440N055T2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 440 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm

Тип корпуса: TO268

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXTT440N055T2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTT440N055T2 даташит

 9.1. Size:190K  ixys
 ixtt4n150hv.pdf pdf_icon

IXTT440N055T2

High Voltage VDSS = 1500V IXTA4N150HV ID25 = 4A Power MOSFETs IXTT4N150HV RDS(on) 6 N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode TO-263HV Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 1500 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1500 V D (Tab) VGSS Continuous 30 V VGSM Trans

Другие IGBT... IXTT30N50L, IXTT30N50L2, IXTT30N50P, IXTT30N60L2, IXTT30N60P, IXTT360N055T2, IXTT36N50P, IXTT40N50L2, IRF4905, IXTT48P20P, IXTT500N04T2, IXTT50N30, IXTT50P085, IXTT50P10, IXTT52N30P, IXTT60N10, IXTT60N20L2