IXTT52N30P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTT52N30P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.066 Ohm

Тип корпуса: TO268

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXTT52N30P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTT52N30P даташит

 ..1. Size:168K  ixys
 ixtq52n30p ixtt52n30p.pdf pdf_icon

IXTT52N30P

IXTQ52N30P VDSS = 300 V PolarHTTM IXTT52N30P ID25 = 52 A Power MOSFET RDS(on) 66 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-3P (IXTQ) VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 V VGSS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V G ID25 TC = 25 C52 A D (TAB)

 9.1. Size:187K  ixys
 ixth500n04t2 ixtt500n04t2.pdf pdf_icon

IXTT52N30P

Advance Technical Information TrenchT2TM VDSS = 40V IXTH500N04T2 ID25 = 500A Power MOSFET IXTT500N04T2 RDS(on) 1.6m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-247 (IXTH) Fast Intrinsic Diode G D D (Tab) S Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C40 V VDGR TJ = 25 C to 175 C, RGS = 1M 40 V TO-268 (IXTT) VGSM T

Другие IGBT... IXTT36N50P, IXTT40N50L2, IXTT440N055T2, IXTT48P20P, IXTT500N04T2, IXTT50N30, IXTT50P085, IXTT50P10, SPP20N60C3, IXTT60N10, IXTT60N20L2, IXTT64N25P, IXTT68P20T, IXTT69N30P, IXTT6N120, IXTT72N10, IXTT72N20